主要规格及技术指标

本底真空：3X10-5Pa，衬底加热可到600度，制样可加诱导磁场。

主要功能及特色

薄膜制备，可直流溅射和射频溅射，可沉积金属膜和半导体、绝缘体薄膜。

主要附件及配置

控制电源柜，进样室，溅射主腔室。